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Lenovo 4XB7A90049 unidad de estado sólido interna 480 GB M.2 Serial ATA III 3D TLC NAND

Lenovo 4XB7A90049 unidad de estado sólido interna 480 GB M.2 Serial ATA III 3D TLC NAND
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Stock AgotadoSin stock Código 2380008 Marca LENOVO Modelo 4XB7A90049 Garantía 2 años

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The ThinkSystem ER3 Read Intensive SATA 6Gb SSDs, in capacities up to 960GB, are 6Gb SATA drives, available in M.2 form factor. They are suitable for general data storage functions and operating system boot purposes on ThinkSystem servers.

This product guide provides essential presales information to understand the ER3 SSDs and their key features, specifications, and compatibility. This guide is intended for technical specialists, sales specialists, sales engineers, IT architects, and other IT professionals who want to learn more about the ER3 SSDs and consider their use in IT solutions.

Lenovo 4XB7A90049. SSD capacity: 480 GB, SSD form factor: M.2, Read speed: 520 MB/s, Write speed: 520 MB/s, Data transfer rate: 6 Gbit/s, Component for: Server/workstation

Aspectos destacados
  • 480 GB M.2 Serial ATA III
  • Read speed: 520 MB/s 90000 IOPS
  • Write speed: 520 MB/s 15000 IOPS
  • 3D TLC NAND
  • Hardware encryption
  • S.M.A.R.T. support TRIM support
  • Component for: Server/workstation
Especificaciones
Altura
3.65 mm
Ancho
22 mm
Capacidad de SSD
480 GB
Certificación
CE UL BSMI RoHS
Certificados de conformidad
RoHS
Cifrado por hardware
Yes
Compatibilidad con S.M.A.R.T.
Yes
Compatibilidad con TRIM
Yes
Componente para
Server/workstation
Consumo de energía (escritura)
3.8 W
Consumo de energía (lectura)
3.5 W
Escritura aleatoria (4 KB)
15000 IOPS
Escrituras por unidad y día (DWPD)
1
Formato del SSD
M.2
Formato del SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Función H/W PLP
Yes
Golpes fuera de funcionamiento
1500 G
Interfaz
Serial ATA III
Latencia aleatoria: escritura (hasta)
70 µs
Latencia aleatoria: lectura (hasta)
120 µs
Lectura aleatoria (4 KB)
90000 IOPS
Native Command Queuing (NCQ)
Yes
NVMe
No
Peso
10 g
Profundidad
80 mm
Tasa de error de bit no corregible (UBER)
< 1 per 10^17 bits read
Temperatura de almacenamiento (T-T)
-40 - 85 °C
Temperatura de funcionamiento (T-T)
0 - 70 °C
Tiempo medio entre fallos (MTBF)
2000000 h
Tipo de memoria
3D TLC NAND
Velocidad de escritura
520 MB/s
Velocidad de lectura
520 MB/s
Velocidad de transferencia de datos
6 Gbit/s

Folleto

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