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Lenovo 4XB7A90100 unidad de estado sólido interna 1,92 TB 2,5" PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

Lenovo 4XB7A90100 unidad de estado sólido interna 1,92 TB 2,5
Lenovo 4XB7A90100 unidad de estado sólido interna 1,92 TB 2,5" PCI Express 4.0 NVMe V-NAND
920,11 €
The ThinkSystem PM9A3 Read Intensive NVMe Solid-State Drives (SSDs) are general-purpose yet high-performance family of NVMe SSDs. They are engineered for greater performance and endurance in a cost-effective design, and to support a broader set of workloads. Lenovo 4XB7A90100. SSD capacity: 1.92 TB... Leer más
Stock AgotadoSin stock Código 2412991 Marca LENOVO Modelo 4XB7A90100 Garantía 2 años

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The ThinkSystem PM9A3 Read Intensive NVMe Solid-State Drives (SSDs) are general-purpose yet high-performance family of NVMe SSDs. They are engineered for greater performance and endurance in a cost-effective design, and to support a broader set of workloads.

Lenovo 4XB7A90100. SSD capacity: 1.92 TB, SSD form factor: 2.5", Component for: Server/workstation

Aspectos destacados
  • 1.92 TB 2.5" PCI Express 4.0
  • 850000 IOPS
  • 130000 IOPS
  • V-NAND NVMe
  • Hardware encryption
  • S.M.A.R.T. support ECC
  • Component for: Server/workstation
Especificaciones
Altura
7 mm
Ancho
70 mm
Capacidad de SSD
1.92 TB
Certificación
c-UL-us CE TUV CB CE (EU) BSMI (Taiwan) KC (South Korea) VCCI (Japan) RCM (Australia) FCC (USA) IC (CANADA)
Cifrado por hardware
Yes
Compatibilidad con S.M.A.R.T.
Yes
Componente para
Server/workstation
Consumo de energía (escritura)
12.5 W
Consumo de energía (lectura)
10 W
ECC
Yes
Escritura aleatoria (4 KB)
130000 IOPS
Escrituras por unidad y día (DWPD)
1
Formato del SSD
2.5"
Golpes fuera de funcionamiento
1500 G
Humedad relativa de almacenamiento (H-H)
5 - 95%
Intercambio en caliente
Yes
Interfaz
PCI Express 4.0
Latencia aleatoria: escritura (hasta)
30 µs
Latencia aleatoria: lectura (hasta)
80 µs
Latencia secuencial: escritura (hasta)
20 µs
Latencia secuencial: lectura (hasta)
20 µs
Lectura aleatoria (4 KB)
850000 IOPS
NVMe
Yes
Peso
70 g
Profundidad
100 mm
Tasa de error de bit no corregible (UBER)
< 1 per 10^17 bits read
Temperatura de almacenamiento (T-T)
-40 - 85 °C
Temperatura de funcionamiento (T-T)
0 - 70 °C
Tiempo medio entre fallos (MTBF)
2000000 h
Tipo de memoria
V-NAND
Unidad de autocifrado (SED)
Yes
Vibración fuera de funcionamiento
20 G

Folleto

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