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Samsung - DDR5 - módulo - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 1,1 V ungepuffert on-die ECC

Samsung - DDR5 - módulo - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 1,1 V ungepuffert on-die ECC
Samsung - DDR5 - módulo - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 1,1 V ungepuffert on-die ECC
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Stock AgotadoSin stock Código 2403757 Marca SAMSUNG Modelo M425R4GA3BB0-CWM Garantía 2 años

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Samsung M425R4GA3BB0-CWM. Component for: PC, Internal memory: 32 GB, Memory layout (modules x size): 2 x 16 GB, Internal memory type: DDR5, Memory clock speed: 5600 MHz, Memory form factor: 262-pin SO-DIMM, CAS latency: 46

Aspectos destacados
  • PC 32 GB DDR5
  • 262-pin SO-DIMM 2 x 16 GB
  • CAS latency: 46
  • 1.1 V
Especificaciones
Componente para
PC
Distribución de la memoria (módulos x capacidad)
2 x 16 GB
ECC
No
Formato de la memoria
262-pin SO-DIMM
Frecuencia de reloj de la memoria
5600 MHz
Latencia CAS
46
Memoria interna
32 GB
Rango de la memoria
1
Tensión de la memoria
1.1 V
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
Tipo de memoria interna
DDR5

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Samsung - DDR5 - módulo - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 1,1 V ungepuffert on-die ECC
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